หน่วยความจำเปลี่ยนเฟส : เทคโนโลยีบันทึกข้อมูลแห่งอนาคต ตอนที่ 2

บทคัดย่อ

บทคัดย่อ

บทความฉบับนี้เป็นการนำเสนอบทนำเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำเปลี่ยนเฟส ตอนที่ 2 ที่ประกอบด้วยรายละเอียดพื้นฐานของหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสซึ่งครอบคลุมตั้งแต่ โครงสร้างของเซลล์ทั้งในแบบแนวตั้งและแนวนอน กระบวนการในการเขียนอ่านข้อมูลที่มีพื้นฐานมาจากการกระตุ้นด้วยความร้อนโดยการควบคุมขนาดและช่วงเวลาของสัญญาณไฟฟ้าที่ป้อนให้กับเซลล์ส่วนประกอบและสถาปัตยกรรมของเซลล์ที่ประกอบด้วยตัวเซลล์และตัวควบคุมการทำงานของเซลล์ เสถียรภาพและความทนทานของข้อมูลที่แสดงถึงประสิทธิภาพและอายุการใช้งานของหน่วยความจำ การลดขนาดของเซลล์ที่ขึ้นอยู่กับคุณสมบัติของวัสดุผลรวมของกำลังทั้งหมดที่ใช้ในระหว่างการเขียนอ่าน ความร้อนที่แผ่ออกมาระหว่างเซลล์ข้างเคียง และความเสียหายที่เกิดขึ้นจากกลไกต่างๆ ของหน่วยความจำเปลี่ยนเฟส สุดท้ายเป็นการวิเคราะห์ถึงทิศทางในการพัฒนาหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสในอนาคต

คำสำคัญ : เทคโนโลยีบันทึกข้อมูล หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน หน่วยความจำเปลี่ยนเฟส

Abstract

This paper provides an introduction to phase change memory technology part II, which consists of the background of phase change memory, vertical and lateral cell structure; writing/reading operations based on thermal induction by controlling amplitude and time of application of an electrical pulse; storage element and array architecture, which consists of an array of identical memory cells each containing a phase change memory storage element and a switching device; reliability and endurance of data which shows the performance and retention of phase change memory; scaling of phase change memory cells, which are controlled by materials properties; power consumption during programming and read operation; thermal cross-talk between memory cells; failure mechanism; and finally, future development directions of phase change memory are also discussed.

Keywords: Data Storage Technology, Non-volatile Memory, Phase Change Memory